代表者挨拶
ATI Japan株式会社
代表取締役 川﨑正寛
ATI Japan株式会社は、
世界最高水準の超厚熱酸化膜作製技術を核に、光通信や半導体の業界の未来を支えるソリューションを提供しています。
私たちは独自の超厚熱酸化膜作製技術により、他には類を見ない厚さ・高品質を実現し、国内外のお客様から高い評価をいただいております。
現在、光通信や半導体の業界はデータセンター、AI、電気自動車といった次世代産業の中核としてますます重要性を増しています。
当社は、最先端の成膜プロセスを通じて、これらの産業を支えるキーデバイスの性能・信頼性向上に貢献しています。
また、日本から世界へと視野を広げ、グローバルなパートナーと連携しながら、研究開発・製造技術の深化に努めてまいります。
私たちは、「技術に誠実であること」「顧客と真摯に向き合うこと」「品質を極めること」を信条に、挑戦を続ける企業でありたいと考えています。
今後ともATI Japanへのご支援、ご指導を賜りますようお願い申し上げます。
代表者 川﨑正寛の経歴
1998年05月 福井県福井市にてケイ・エス・ティ・ワールド株式会社を設立。
1999年03月 Kawasaki Semiconductor Technology America Corp. (KST America)設立。
California州とArizona州に事務所開設。 CEO。
2013年01月 台灣川崎半導體科技股份有限公司(KST Taiwan)設立。
高雄市に事務所開設。董事長。
Kawasaki Semiconductor Technology Taiwan Corp.
2022年01月 セーレンKST株式会社 代表取締役社長退任。
2022年03月 ATI Japan株式会社を設立。
企業理念
■ ミッション（Mission）
世界最高の超厚熱酸化膜作製技術で、光通信や半導体の世界を変える。
ATI Japanは、超厚熱酸化膜作製技術を通じて、光通信や半導体業界の高度化と信頼性向上に貢献します。私たちは創造力と実現力で、持続可能で豊かな社会の実現を目指します。
■ ビジョン（Vision）
「超厚膜熱酸化膜酸化膜といえばATI Japan」と世界に認められる技術ブランドへ。
品質・性能・技術革新で世界トップを走り続け、顧客と業界から選ばれ続ける企業になることを目指します。
■ バリュー（Values）
私たちが大切にしている価値観：
誠実と信頼
技術にも、人にも、常に真摯に向き合う。
技術革新への挑戦
現状に満足せず、常にプロセスと装置の限界に挑み続ける。
品質第一主義
ナノレベル精度での精度が要求される世界で、妥協しない品質を追求。
顧客起点のものづくり
お客様の声に耳を傾け、課題解決に向けて共に歩む。
グローバルな視野
日本発の技術を世界に届け、国際的な価値を創出する。
品質方針・環境宣言
■ 品質方針（Quality Policy）
ATI Japan株式会社は、世界No.1の超厚熱酸化膜作製技術を通じて、常にお客様の期待に応える品質を提供します。
私たちは以下を品質活動の基本方針とし、全社一丸となって品質向上に取り組みます。
・ナノレベルの精度を追求する、妥協なき品質主義
・お客様の声を原点とする継続的改善
・工程・設備・材料の徹底した標準化と見える化
・品質マネジメントシステム（QMS）の運用と継続的改善
・品質と安全の両立による信頼の提供
■ 環境宣言（Environmental Commitment）
ATI Japan株式会社は、地球環境の保全を企業の重要な責任と捉え、クリーンかつ持続可能な成膜技術の開発と運用を推進します。
私たちは以下の環境行動を実行します：
・省エネルギー・省資源型の成膜技術の開発と導入
・廃棄物の削減・分別・再利用の徹底
・環境関連法規・規制の遵守と透明な情報公開
・社員一人ひとりの環境意識の向上と行動の実践
・持続可能な社会の実現に向けた企業活動の推進
会社概要
ATI Japan株式会社
• 社 名 ： ATI Japan 株式会社 (英文: ATI Japan Corp.)
• 設 立 ： 2022年3月18日
• 代表取締役 ： 川﨑正寛 (Masahiro Kawasaki)
• 本 店 ： 東京都品川区西品川3丁目16-14
• 日本橋事務所 ： 東京都中央区日本橋堀留町2丁目8番5号 JACCビル4階
• 資 本 金 ： 9,655万円, 資本準備金: 9,655万円
• 取引銀行 ： みずほ銀行渋谷中央支店, 三菱UFJ銀行日本橋支店
• 古物商許可 ： 東京都公安委員会許可 第301042422058号
• インボイス番号 ： T4010001225392
• 学 会 等 ： 一般財団法人 日中経済協会 賛助会員、
MEMSパークコンソーシアム会員
• 業務提携先 ：
沿革
ATI Japan株式会社 沿革
2022年03月 東京都中央区にて設立
2023年05月 東京都品川区に移転
2024年10月 東京都中央区日本橋堀留町に「日本橋事務所」を開設
2025年03月 ATIJ Hong Kong Limited 設立
役員紹介
取締役(Board Member)
- 代表取締役(CEO): 川﨑正寛(Masahiro Kawasaki)
- 取締役(Director): 王 遠耀 (Enyo O)
- 取締役(Director): 内藤徹也(Tetsuya Naito)
- 取締役(Director): 吉澤正充(Masamitsu Yoshizawa)
- 監査役(Auditor): 神谷好一(Yoshikazu Kamiya)
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代表取締役(CEO)
川﨑正寛(Masahiro Kawasaki)
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取締役(Director)
王 遠耀 (Enyo O)
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取締役(Director)
内藤徹也(Tetsuya Naito)
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取締役(Director)
吉澤正充(Masamitsu Yoshizawa)
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顧問
江刺正喜(Masayoshi Esashi)
江刺 正喜：
㈱メムス・コア CTO
兼 東北大学 シニアリサーチフェロー
2022年 - 瑞宝中綬章
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前田龍太郎(Ryutaro Maeda)
前田龍太郎：
国⽴研究開発法⼈産業技術総合研究所
デバイス技術研究部⾨ 名誉リサーチャー
⻄安交通⼤学 儀器科学与技術学院 特聘教授
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平等拓範(Equality Expansion)
平等拓範：
理化学研究所放射光科学研究センターグループディレクター
自然科学研究機構分子科学研究所特任教授
OPTICA (OSA), SPIE, IEEE Fellow
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大田文行(Fumiyuki Ota)
大田文行：
元東芝大分工場長, 元Dominion Semiconductor副社長,
元徳山東芝セラミックス社長, 元KST World取締役
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佐々木伸彦(Nobuhiko Sasaki)
佐々木伸彦：
日中経済協会理事長、第13代日本貿易振興機構(JETRO)理事長
外務省OECD代表部参事官、経済産業省経済産業審議官、
日本貿易振興機構北京センター所長などを歴任。
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アクセスマップ
本店
〒141-0033
東京都品川区西品川3-16-14
日本橋事務所
〒103-0012
東京都中央区日本橋堀留町2-8-5 JACCビル4階
(📍Googleマップで住所を見る)
TEL：03-6661-2251 FAX：03-6661-2252
東京メトロ 日比谷線・都営浅草線 人形町駅から徒歩5分
JR 総武線快速 馬喰町駅から徒歩8分
シリコンウエハー
・サイズ4inch(100mm）～12inch（300mm）
・単結晶成長法：FZ（＞5,000Ω・cm、＞10,000Ω・cm）
CZ
MCZ
・メーカー 日本製、US製、台湾製、韓国製、中国製、EU製
・プライムウエハー、テストウエハー、モニターウエハー、ダミーウエハー、再生ウエハー
※お見積り依頼、ご質問、等はこちらへ
取り扱いウエハーのスペック例
シリコンウエハー
Crystal Growth
Method |
Conductivity
Type |
Dopant |
Crystal
Orientation |
Resistivity |
Oxygen
Contents |
Carbon
Contents |
Diameter |
Primary Flat
Location |
Primary Flat
Length |
Thickness |
Front Surface |
Back Surface |
| FZ |
P |
Boron |
<100> ± 1
degree |
10,000–99,999
Ω-cm |
0.4 ppma |
0.4 ppma |
150 ± 0.5mm |
<110> ± 2
degree |
57.5 ± 2.5mm |
675 ± 10 um |
Polished |
Etched |
| CZ |
P |
Boron |
<100> ± 1
degree |
1~20 |
1~50 |
1~50 |
200 ± 0.2mm |
<011> ± 1
degree |
57.5 ± 2.5mm |
725 ± 15 um |
Polished |
Etched |
| MCZ |
P |
Boron |
<100> ± 1
degree |
0.5~100.00 |
- |
- |
300 ± 0.2mm |
Notch |
Notch |
760 ~ 790 um |
Polished |
Polished |
Waferの基礎知識
| グレード |
主な用途 |
品質レベル |
特徴 |
コスト感 |
| Prime Grade |
実デバイス製造（IC、パワーデバイス、MEMSなど） |
最高 |
・表面粗さ、欠陥密度、パーティクルが厳格管理
・電気特性・結晶欠陥が最も安定
|
高い |
| Monitor Grade |
量産ラインの工程モニタリング |
高め
(Primeに近い) |
・製品ウエハーと同じ結晶方位・導電型・抵抗率で供給
・欠陥許容はPrimeより緩い・工程内の性能や品質がPrimeと同等
|
中程度
(Primeより安い) |
| Test Grade |
装置の立ち上げ、試験加工、研究用途 |
中 |
・表面欠陥や微小傷があっても可・電気特性は重視しない
・製品性能の再現性はMonitorほど要求されない
|
比較的安い |
| Dummy Grade |
搬送練習、装置キャリブレーション、物理的練習 |
低 |
・割れや欠陥を多く含んでも可
・導電型・抵抗率など指定されないことが多い
・基本的に「シリコン円板」として扱う
|
最安 |
超厚膜～薄膜熱酸化膜付ウエハー
ATI Japanは熱酸化法で超厚膜を成膜しております。CVD法では出来ない膜質を実現しました。
現在、熱酸化法では成膜が難しいと言われる膜厚の領域、2μmから20μmの成膜加工にも対応しております。
ウエハーの口径は、6inch(150mm)、 8inch(200mm)、 12inch(300mm)に対応しています。
厚膜の用途は光通信関係、 MEMS関係、 医療関係、 パワーデバイス関係など多岐に広がっています。
薄膜の用途はテスト用、 評価用、 開発用などに使用できます。。
※お見積り依頼、ご質問、等はこちらへ
InPウエハー
InP (インジウムリン酸塩)ウエハー・・・フランスGrenobleのInPACT社日本正規代理店
すべてのドーパント（Fe、Sn、Zn、S）と
すべての直径（2"、3"、4"）をカバーする
インジウムリンのメーカー
特性:高周波通信、光通信に利用される高効率な半導体。
用途:光通信用レーザー、光増幅器、光ファイバーなど.
特徴:高い電子移動度と、高い絶縁破壊強度を持つ.
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薄膜SOIウエハー, 厚膜SOIウエハー, 接合ウエハー
・SOI
ATI Japanは各種仕様のSOIウェーハを提供いたします。
少量・短納期をご希望の場合は在庫SOIウエハーからお選びいただけます。
在庫SOIウェーハは１枚からでも注文を受け付けます。
・デバイス層の優れた均一性（±0.1µｍ）
・シングルウエハーに近い低応力
・極小テラス（0.5㎜）
・極薄ハンドルウエハー（50µｍ～）
・POI ウエハーなど、接合ウエハー
・POI
・SiC on Si
・GaN on Si
・その他
接合ウエハーのご相談はお気軽にお声掛けください。
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半導体関連部品
・O-ring
台湾 KT Seal社, 日本正規代理店,耐薬品性や耐プラズマ性に優れたパーフルオロエラストマー製の
Oリングです。
TSMCやUMCで正規採用されているOリングを安定供給致します。
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半導体関連部品
・配管AF(Anti-Fouling )コーティング
特性（耐腐食性, 耐摩耗性）
Wet Coatingで複雑な配管の加工可能
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GPU Server
世界トップクラスのサーバーメーカーを取り扱っています。
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Optical Compornents
SiPhx社のトランシーバーの正規代理店です。
1.6T, 800G, 400G transceiver
※PDFへ
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MEMS Consulting
Foundryや人材・パテントなどの相談を承ります。
※お見積り依頼、ご質問、等はこちらへ
Work
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