董事長致辭
ATI Japan株式會社
代表董事 川﨑正寛
ATI Japan株式會社，
以世界最高水平的超厚熱氧化膜製造技術為核心，提供支持光通信和半導體行業未來的解決方案。
我們憑藉獨有的超厚熱氧化膜製造技術，實現了無與倫比的厚度和高品質，獲得了國內外客戶的高度評價。
目前，光通信和半導體行業作為數據中心、AI、電動汽車等下一代產業的核心，其重要性日益增加。
本公司通過最先進的成膜工藝，致力於提高支持這些產業的關鍵設備的性能和可靠性。
同時，我們將視野從日本擴展到全球，與國際合作夥伴協作，深化研發和製造技術。
我們堅信“對技術保持真誠”、“與客戶認真相處”、“追求極致品質”的信條，希望能成為一家不斷挑戰的企業。
懇請今後繼續給予ATI Japan支持和指導。
代表董事 川﨑正寛的履歷
1998年05月 在福井縣福井市設立KST World株式會社。
1999年03月 設立Kawasaki Semiconductor Technology America Corp. (KST America)。
在加利福尼亞州和亞利桑那州開設事務所。擔任CEO。
2013年01月 設立台灣川崎半導體科技股份有限公司(KST Taiwan)。
在高雄市開設事務所。擔任董事長。
Kawasaki Semiconductor Technology Taiwan Corp.
2022年01月 辭去Seiren KST株式會社代表董事社長職務。
2022年03月 設立ATI Japan株式會社。
企業理念
■ 使命（Mission）
以世界頂級的超厚熱氧化膜製造技術，改變光通信和半導體世界。
ATI Japan通過超厚熱氧化膜製造技術，為光通信和半導體行業的升級和可靠性提升做出貢獻。我們以創造力和實現力，致力於實現可持續發展的富裕社會。
■ 願景（Vision）
成為全球公認的“提及超厚膜熱氧化膜就想到ATI Japan”的技術品牌。
目標是在品質、性能、技術創新方面持續保持世界領先地位，成為客戶和行業持續選擇的企业。
■ 價值觀（Values）
我們珍視的價值觀：
真誠與信賴
對技術和對人都始終保持真摯的態度。
挑戰技術革新
不滿足於現狀，持續挑戰工藝和設備的極限。
品質第一主義
在要求納米級精度的世界中，追求毫不妥協的品質。
以客戶為中心的製造
傾聽客戶的聲音，共同邁向解決課題的道路。
全球視野
將源自日本的技術推向世界，創造國際價值。
品質方針・環境宣言
■ 品質方針（Quality Policy）
ATI Japan株式會社將通過世界第一的超厚熱氧化膜製造技術，始終提供滿足客戶期望的品質。
我們以下列各項作為品質活動的基本方針，全公司上下一致致力於品質提升。
・追求納米級精度的，毫不妥協的品質主義
・以客戶聲音為起點的持續改善
・徹底實現工藝、設備、材料的標準化和可視化
・品質管理系統（QMS）的運營和持續改進
・通過兼顧品質和安全來提供信賴
■ 環境宣言（Environmental Commitment）
ATI Japan株式會社將地球環境保護視為企業的重要責任，推進清潔且可持續的成膜技術的開發和運營。
我們將執行以下環境行動：
・開發和引進節能・節約資源型的成膜技術
・徹底減少、分類和再利用廢棄物
・遵守環境相關法規・規定並透明公開信息
・提高每位員工的環境意識並實踐行動
・推進旨在實現可持續社會的各項企業活動
公司簡介
ATI Japan株式會社
• 公司名稱 ： ATI Japan 株式會社 (英文: ATI Japan Corp.)
• 成立日期 ： 2022年3月18日
• 代表董事 ： 川﨑正寛 (Masahiro Kawasaki)
• 總公司地址 ： 東京都品川區西品川3丁目16-14
• 日本橋事務所 ： 東京都中央區日本橋堀留町2丁目8番5號 JACC大廈4樓
• 註冊資本 ： 9,655萬日圓, 資本準備金: 9,655萬日圓
• 往來銀行 ： 瑞穗銀行澀谷中央支店, 三菱UFJ銀行日本橋支店
• 舊貨商許可證 ： 東京都公安委員會許可 第301042422058號
• 發票號碼 ： T4010001225392
• 學會等 ： 一般財團法人 日中經濟協會 贊助會員、
MEMS Park Consortium會員
• 業務合作方 ：
公司沿革
ATI Japan株式會社 沿革
2022年03月 在東京都中央區設立
2023年05月 遷至東京都品川區
2024年10月 在東京都中央區日本橋堀留町開設“日本橋事務所”
2025年03月 設立ATIJ Hong Kong Limited
高管介紹
董事會成員(Board Member)
- 代表董事(CEO): 川﨑正寛(Masahiro Kawasaki)
- 董事(Director): 王 遠耀 (Enyo O)
- 董事(Director): 內藤徹也(Tetsuya Naito)
- 董事(Director): 吉澤正充(Masamitsu Yoshizawa)
- 監事(Auditor): 神谷好一(Yoshikazu Kamiya)
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代表董事(CEO)
川﨑正寛(Masahiro Kawasaki)
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董事(Director)
王 遠耀 (Enyo O)
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董事(Director)
內藤徹也(Tetsuya Naito)
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董事(Director)
吉澤正充(Masamitsu Yoshizawa)
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顧問
江刺正喜(Masayoshi Esashi)
江刺 正喜：
㈱MEMS Core CTO
兼 東北大學 Senior Research Fellow
2022年 - 瑞寶中綬章
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前田龍太郎(Ryutaro Maeda)
前田龍太郎：
國立研究開發法人 產業技術綜合研究所
設備技術研究部門 榮譽研究員
西安交通大學 儀器科學與技術學院 特聘教授
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平等拓範(Equality Expansion)
平等拓範：
理化學研究所 放射光科學研究中心 集團總監
自然科學研究機構 分子科學研究所 特任教授
OPTICA (OSA), SPIE, IEEE Fellow
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大田文行(Fumiyuki Ota)
大田文行：
原東芝大分工廠廠長, 原Dominion Semiconductor副社長,
原德山東芝陶瓷社長, 原KST World董事
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佐々木伸彦(Nobuhiko Sasaki)
佐々木伸彦：
日中經濟協會理事長、第13代日本貿易振興機構(JETRO)理事長
曾任外務省OECD代表部參事官、經濟產業省經濟產業審議官、
日本貿易振興機構北京中心所長等職務。
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交通地圖
總公司
〒141-0033
東京都品川區西品川3-16-14
日本橋事務所
〒103-0012
東京都中央區日本橋堀留町2-8-5 JACC大廈4樓
(📍在Google地圖上查看地址)
電話：03-6661-2251 傳真：03-6661-2252
從東京Metro日比谷線・都營淺草線 人形町站步行5分鐘
從JR總武線快速 馬喰町站步行8分鐘
矽晶圓
・尺寸：4英吋（100mm）～12英吋（300mm）
・單晶生長法：FZ（＞5,000Ω・cm、＞10,000Ω・cm）
CZ
MCZ
・製造商 日本製、美國製、台灣製、韓國製、中國製、歐盟製
・Prime晶圓、測試晶圓、監控晶圓、Dummy晶圓、再生晶圓
※報價請求、疑問等請聯繫此處
處理晶圓規格示例
矽晶圓
晶體生長
方法 |
導電
類型 |
摻雜劑 |
晶體
取向 |
電阻率 |
氧
含量 |
碳
含量 |
直徑 |
主平邊
位置 |
主平邊
長度 |
厚度 |
正面 |
背面 |
| FZ |
P |
硼 |
<100> ± 1
度 |
10,000–99,999
Ω-cm |
0.4 ppma |
0.4 ppma |
150 ± 0.5mm |
<110> ± 2
度 |
57.5 ± 2.5mm |
675 ± 10 um |
拋光 |
刻蝕 |
| CZ |
P |
硼 |
<100> ± 1
度 |
1~20 |
1~50 |
1~50 |
200 ± 0.2mm |
<011> ± 1
度 |
57.5 ± 2.5mm |
725 ± 15 um |
拋光 |
刻蝕 |
| MCZ |
P |
硼 |
<100> ± 1
度 |
0.5~100.00 |
- |
- |
300 ± 0.2mm |
凹槽 |
凹槽 |
760 ~ 790 um |
拋光 |
拋光 |
晶圓基礎知識
| 等級 |
主要用途 |
品質等級 |
特點 |
成本感 |
| Prime Grade (一級品) |
實際設備製造（IC、功率器件、MEMS等） |
最高 |
・表面粗糙度、缺陷密度、顆粒物受到嚴格控製
・電特性、晶體缺陷最穩定
|
高 |
| Monitor Grade (監控級) |
量產線的工藝監控 |
較高
(接近Prime) |
・以與產品晶圓相同的晶體取向、導電類型、電阻率供貨
・缺陷容許度比Prime寬鬆・工藝內的性能和品質與Prime同等
|
中等
(比Prime便宜) |
| Test Grade (測試級) |
設備啟動、試加工、研究用途 |
中 |
・允許表面缺陷和微小劃痕・不重視電特性
・產品性能的重現性要求不如Monitor高
|
相對便宜 |
| Dummy Grade (虛擬級/擋片) |
搬送練習、設備校準、物理練習 |
低 |
・允許包含較多裂紋和缺陷
・通常不指定導電類型、電阻率等
・基本上作為“矽圓盤”處理
|
最便宜 |
超厚膜～薄膜熱氧化膜晶圓
ATI Japan採用熱氧化法成膜超厚膜。實現了CVD法無法達到的膜質。
目前，我們可對應熱氧化法被認為難以成膜的膜厚範圍，即2µm至20µm的成膜加工。
晶圓口徑支持6英吋（150mm）、8英吋（200mm）、12英吋（300mm）。
厚膜的應用範圍廣泛，包括光通信、MEMS、醫療、功率器件等。
薄膜可用於測試、評估、開發等用途。
※報價請求、疑問等請聯繫此處
InP晶圓
InP（磷化銦）晶圓・・・法國Grenoble InPACT公司日本官方代理店
涵蓋所有摻雜劑（Fe、Sn、Zn、S）和
所有直徑（2"、3"、4"）的
磷化銦製造商
特性:用於高頻通信、光通信的高效半導體。
用途:光通信用激光器、光放大器、光纖等。
特點:具有高電子遷移率和高絕緣擊穿強度。
※報價請求、疑問等請聯繫此處
薄膜SOI晶圓, 厚膜SOI晶圓, 鍵合晶圓
・SOI
ATI Japan提供各種規格的SOI晶圓。
如需少量・短交期，可從庫存SOI晶圓中選擇。
庫存SOI晶圓接受一張起訂。
・器件層優異的均勻性（±0.1µm）
・接近單晶圓的低應力
・極小台階（0.5㎜）
・極薄襯底晶圓（50µm～）
・POI晶圓等，鍵合晶圓
・POI
・SiC on Si
・GaN on Si
・其他
歡迎隨時諮詢鍵合晶圓事宜。
※報價請求、疑問等請聯繫此處
半導體相關零部件
・O型圈（O-ring）
台灣KT Seal公司，日本官方代理店，提供耐藥品性和耐等離子體性優異的全氟彈性體O型圈。
穩定供應被TSMC和UMC正式採用的O型圈。
※報價請求、疑問等請聯繫此處
半導體相關零部件
・配管AF(Anti-Fouling )塗層
特性（耐腐蝕性, 耐磨損性）
可採用濕法塗覆（Wet Coating）加工複雜的配管
※報價請求、疑問等請聯繫此處
GPU伺服器
我們經營世界頂級伺服器製造商的產品。
※報價請求、疑問等請聯繫此處
光學元件
SiPhx公司的光收發模組官方代理店。
1.6T, 800G, 400G光收發模組
※至PDF
※報價請求、疑問等請聯繫此處
MEMS諮詢
承接代工廠（Foundry）、人才、專利等方面的諮詢。
※報價請求、疑問等請聯繫此處
Work
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